GL4 R&D是一种专门为大学、科研院所和企业产品研发所设计，功能强大的多功能研发型纳米压印光刻设备。该设备可灵活集成包括高精度紫外纳米压印模块、晶圆级光学（Wafer Level Optics - WLO）压印模块以及热压印模块在内的不同配置，在一台设备上实现多种不同的纳米压印工艺。
高精度紫外纳米压印模块可在旋涂压印胶的晶圆上压印高精度（优于10nm *）、高深宽比（优于10：1 *）等微纳结构。WLO压印模块在精密点胶系统和主动模具基底平行控制（Automatic mold/substrate Parallel Control - APC）等技术加持下，可保证晶圆级微透镜等微光学器件压印精度、均匀性与良率，同时还可实现晶圆级堆叠（Wafer Level Stacking - WLS）工艺。热压印模块采用均匀气体施压方式，可实现大面积全幅压印过程中结构精度与高深宽比结构的填充，同时保证全幅压印均匀性。
该设备适合用作纳米压印光刻工艺开发，器件原型快速验证，纳米压印材料测试等研发。它沿用天仁微纳量产型纳米压印设备的工艺与材料体系，在GL4 R&D上开发的工艺可以无障碍转移到量产设备上进行生产。GL4 R&D纳米压印设备适用于DOE、AR/VR衍射光波导（包括斜齿光栅）、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED、微透镜阵列（晶圆级光学加工、堆叠）、匀光片等应用领域。
沿用天仁微纳量产型纳米压印设备的工艺与材料体系，开发的工艺可以无障碍转移到量产设备上进行生产；
可灵活选配高精度紫外纳米压印、晶圆级光学压印和热压印模块，不同压印模式间可快速切换；
适用于100mm以下直径晶圆；
设备内自动复制柔性复合工作模具，降低大面积纳米压印模具使用成本；
高精度紫外压印模式可实现自动压印、自动曝光固化、自动脱模；
WLO压印模式使用APC主动模具基底平行控制技术，确保大面积晶圆压印TTV均匀性，内置自动点胶功能；
热压印模式采用均匀气体施压，压印压力可50bar（80bar可定制），保证大面积均匀结构填充。该模块可分别实现紫外压印或者热压印工艺，也可同步原位实现紫外压印/热压印结合工艺；
标配高功率紫外LED面光源（365nm，光强>300mW/cm2），完美支持各种商用纳米压印材料；
可选配模具基底对位系统；
随机提供全套纳米压印工艺与材料，帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平。
配置选择 |
高精度紫外压印模式 |
WLO压印模式（选配） |
热压印模式（选配） |
兼容基底尺寸 |
20x20mm基底，2寸、3寸、100mm晶圆（特殊尺寸可定制） |
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支持基底材料 |
硅片、玻璃、石英、塑料、金属等 |
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纳米压印技术 |
高精度紫外纳米压印（旋涂胶晶圆） 晶圆级光学压印（选配） 热压印（选配） 同步原位紫外压印/热压结合纳米压印（选配） |
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压印精度 |
优于10纳米* |
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结构深宽比 |
优于10比1* |
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残余层控制/TTV控制 |
小于10nm* |
微米级精度* |
小于10nm* |
紫外固化光源 |
紫外LED（365nm）面光源，光强>300mW/cm2 |
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自动压印 |
支持 |
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自动脱模 |
支持 |
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自动复制工作模具 |
支持 |
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主动模具基底平行控制（APC） |
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支持 |
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施压方式 |
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均匀气体施压，保证大面积压印均匀性 |
压印压力 |
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≤50bar (可定制80bar) |
压印温度 |
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室温至250℃ , 温度设置精度±1℃ |
设备内部环境控制 |
标配，外部环境class100，内部环境优于class 10* |
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模具基底对位系统 |
手动对位、自动对位（选配） |
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上下片方式 |
手动上下片 |
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