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研发型多功能纳米压印光刻设备 下一条 上一条 < 返回

GL4 R&D
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GL4 R&D是一种专门为大学、科研院所和企业产品研发所设计,功能强大的多功能研发型纳米压印光刻设备。该设备可灵活集成包括高精度紫外纳米压印模块、晶圆级光学(Wafer Level Optics - WLO)压印模块以及热压印模块在内的不同配置,在一台设备上实现多种不同的纳米压印工艺。

高精度紫外纳米压印模块可在旋涂压印胶的晶圆上压印高精度(优于10nm *)、高深宽比(优于10:1 *)等微纳结构。WLO压印模块在精密点胶系统和主动模具基底平行控制(Automatic mold/substrate Parallel Control - APC)等技术加持下,可保证晶圆级微透镜等微光学器件压印精度、均匀性与良率,同时还可实现晶圆级堆叠(Wafer Level Stacking - WLS)工艺。热压印模块采用均匀气体施压方式,可实现大面积全幅压印过程中结构精度与高深宽比结构的填充,同时保证全幅压印均匀性。

该设备适合用作纳米压印光刻工艺开发,器件原型快速验证,纳米压印材料测试等研发。它沿用天仁微纳量产型纳米压印设备的工艺与材料体系,在GL4 R&D上开发的工艺可以无障碍转移到量产设备上进行生产。GL4 R&D纳米压印设备适用于DOE、AR/VR衍射光波导(包括斜齿光栅)、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED、微透镜阵列(晶圆级光学加工、堆叠)、匀光片等应用领域。

主要功能

  • 沿用天仁微纳量产型纳米压印设备的工艺与材料体系,开发的工艺可以无障碍转移到量产设备上进行生产;

  • 可灵活选配高精度紫外纳米压印、晶圆级光学压印和热压印模块,不同压印模式间可快速切换;

  • 适用于100mm以下直径晶圆;

  • 设备内自动复制柔性复合工作模具,降低大面积纳米压印模具使用成本;

  • 高精度紫外压印模式可实现自动压印、自动曝光固化、自动脱模;

  • WLO压印模式使用APC主动模具基底平行控制技术,确保大面积晶圆压印TTV均匀性,内置自动点胶功能;

  • 热压印模式采用均匀气体施压,压印压力可50bar(80bar可定制),保证大面积均匀结构填充。该模块可分别实现紫外压印或者热压印工艺,也可同步原位实现紫外压印/热压印结合工艺;

  • 标配高功率紫外LED面光源(365nm,光强>300mW/cm2),完美支持各种商用纳米压印材料;

  • 可选配模具基底对位系统;

  • 随机提供全套纳米压印工艺与材料,帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平。

设备照片

GL4 R&D大背景.png

相关参数

配置选择

高精度紫外压印模式

WLO压印模式(选配)

热压印模式(选配)

兼容基底尺寸

20x20mm基底,2寸、3寸、100mm晶圆(特殊尺寸可定制)

支持基底材料

硅片、玻璃、石英、塑料、金属等

纳米压印技术

高精度紫外纳米压印(旋涂胶晶圆)

晶圆级光学压印(选配)

热压印(选配)

同步原位紫外压印/热压结合纳米压印(选配)

压印精度

优于10纳米*

结构深宽比

优于10比1*

残余层控制/TTV控制

小于10nm*

微米级精度*

小于10nm*

紫外固化光源

紫外LED(365nm)面光源,光强>300mW/cm2

自动压印

支持

自动脱模

支持

自动复制工作模具

支持

主动模具基底平行控制(APC)

/

支持

/

施压方式

/

/

均匀气体施压,保证大面积压印均匀性

压印压力

/

/

≤50bar (可定制80bar)

压印温度

/

/

室温至250℃ , 温度设置精度±1℃

设备内部环境控制

标配,外部环境class100,内部环境优于class 10*

模具基底对位系统

手动对位、自动对位(选配)

上下片方式

手动上下片


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