研发型多功能纳米压印光刻设备 下一条上一条 < 返回

GL4 R&D
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GL4 R&D是一种专门为大学、科研院所和企业产品研发所设计,功能强大的多功能研发型纳米压印光刻设备。通过简单的夹具更换,可以实现旋涂压印胶高精度纳米结构压印和点胶大矢高结构自动找平压印模式之间的快速切换。可实现4英寸以下基底面积上高精度(优于10nm )、高深宽比(优于10比1 )以及微透镜阵列等纳米结构压印,适合用作紫外纳米压印光刻工艺开发,器件原型快速验证,纳米压印材料测试等研发。它沿用天仁微纳量产型纳米压印设备的工艺与材料体系,在GL4 R&D上开发的工艺可以无障碍转移到量产设备上进行生产。
GL4 R&D纳米压印设备适用于DOE、AR/VR衍射光波导(包括斜齿光栅)、生物芯片、LED、微透镜阵列、匀光片等应用领域的研发。





主要功能

●沿用天仁微纳量产型纳米压印设备的工艺与材料体系,开发的工艺可以无障碍转移到量产设备上进行生产
●可实现旋涂胶基底压印和点胶自动找平压印模式间快速切换
●最大压印面积Φ100mm
●设备内可自动复制柔性复合工作模具
●压印旋涂胶基底模式可实现自动压印、自动曝光固化、自动脱模
●点胶压印模式可实现自动找平,主动控制模具与基底之间间隙,实现微米级TTV控制
●标配高功率紫外LED面光源(365nm,光强>300mW/cm2 ),完美支持各种纳米压印材料

可选配模具基底对位系统

随机提供全套纳米压印工艺与材料,包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构、微透镜阵列、匀光片结构等工艺流程,帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平


相关照片

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相关参数

兼容基底尺寸 <100mm
支持基底材料 硅片、玻璃、石英、塑料、金属等
纳米压印技术

旋涂胶基底高精度压印(标配)点胶自动找平压印(选配

旋涂胶基底压印模式                    点胶自动找平压印模式

压印精度 优于10纳米*
结构深宽比 优于10比1*
残余层控制 可小于10nm*                              微米级TTV控制精度
紫外固化光源

紫外LED(365nm)面光源,光强>300mW/cm2

自动压印 支持                                            支持
自动脱模 支持                                            -
自动工作模具复制 支持 支持
主动找平压印 -                                                 支持

模具基底对位系统

手动对位(选配)

上下片方式

手动上下片

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